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HOME > 半導体集積回路 > 画像用メモリ > マルチポートDRAM
| 容量 | 品名 | 構成 | アクセスタイムMAX (ns) |
消費電力(mW) | 電源電圧(V) | パッケージ | 備考 | |
| Operating | Standby | |||||||
| 1M | MSM514252A
データシート[PDF] |
262144×4(RAM) | 70/80/100 (RAM) 25/25/25 (SAM) |
468/413/358 (RAM) 275/248/220 (SAM) |
44 | 4.5〜5.5 | 28ZIP/28SOJ | 高速ページモード |
| 1M | MSM514262
データシート[PDF] |
262144×4(RAM)512×4(SAM) | 70/80 /100(RAM) 25/25 /25(SAM) |
468/413/358(RAM) 275/248/220(SAM) |
44 | 4.5〜5.5 | 28ZIP/28SOJ | 拡張機能 |
| 1M | MSM518121A
データシート[PDF] |
131072×8(RAM)256×8(SAM) | 70/80 /100(RAM) 25/25 /25(SAM) |
468/413/358(RAM) 275/248/220(SAM) |
44 | 4.5〜5.5 | 40ZIP/40SOJ | 高速ページモード |
| 1M | MSM518122
データシート[PDF] |
131072×8(RAM)256×8(SAM) | 70/80 /100(RAM) 25/25 /25(SAM) |
468/413/358(RAM) 275/248/220(SAM) |
44 | 4.5〜5.5 | 40ZIP/40SOJ | 拡張機能 |
| 2M | MSM548262
データシート[PDF] |
262144×8(RAM)512×8(SAM) | 60/70 /80(RAM) 17/17 /20(SAM) |
523/468/413(RAM) 330/303/275(SAM) |
44 | 4.5〜5.5 | 40SOJ 44(40)TSOP(2) |
拡張機能 |
| 2M | MSM548263
データシート[PDF] |
262144×8(RAM)512×8(SAM) | 60/70 /80(RAM) 17/17 /20(SAM) |
523/468/413(RAM) 330/303/275(SAM) |
44 | 4.5〜5.5 | 40SOJ 44(40)TSOP(2) |
新拡張機能、EDO |
| 4M | MSM5416273
データシート[PDF] |
262144×16(RAM)512×16(SAM) | 50/60 /70(RAM) 17/18 /20(SAM) |
770/715/660(RAM) 330/303/275(SAM) |
44 | 4.5〜5.5 | 64SSOP | 新拡張機能, 2-CAS, 8 Column ブロックライト |
| 4M | MSM5416282
データシート[PDF] |
262144×16(RAM)512×16(SAM) | 50/60 /70(RAM) 17/18 /20(SAM) |
770/715/660(RAM) 330/303/275(SAM) |
44 | 4.5〜5.5 | 64SSOP | 2-WE, 8 Column ブロックライト |
| 4M | MSM5416283
データシート[PDF] |
262144×16(RAM)512×16(SAM) | 50/60 /70(RAM) 17/18 /20(SAM) |
770/715/660(RAM) 330/303/275(SAM) |
44 | 4.5〜5.5 | 64SSOP | 新拡張機能, 2-WE, 8 Column ブロックライト |
| 4M | MSM54V16273
データシート[PDF] |
262144×16(RAM)512×16(SAM) | 60/70(RAM) 18/20(SAM) |
432/396(RAM) 198/198(SAM) |
29 | 3.0〜3.6 | 64SSOP | 新拡張機能, 3.3V, 2-CAS, 8 Column ブロックライト |
| 4M | MSM54V16283
データシート[PDF] |
262144×16(RAM)512×16(SAM) | 60/70(RAM) 18/20(SAM) |
432/396(RAM) 198/198(SAM) |
29 | 3.0〜3.6 | 64SSOP | 新拡張機能, 3.3V, 2-WE, 8 Column ブロックライト |