差別化商品・技術の創出

来るべきユビキタス・ネットワーク時代に向け、LSI技術の可能性とユニークな独自技術を追求し、競争力のあるシステムLSIの実現に取り組んでいます。代表的なテーマが、超低消費電力かつ高速動作を実現するSOIデバイス技術、SOSデバイス技術、および多機能化・集積化を実現するMEMSセンサ技術、３次元実装技術です。また、半導体産業研究所および業界共同開発機構（SIRIJ、あすか、STARC、Selete、ASET、MIRAI、JEITA）へ積極的に参加し、回路／デバイス／プロセス／実装など基本技術の研究開発に取り組んでいます。

SOI技術

完全空乏型SOI(Silicon on Insulator)では、極薄のシリコン基板上に素子を形成することによって高速動作と低消費電力を達成できます。民生品としては世界に先駆けて完全空乏型SOI技術を採用したLSIを量産出荷しています。今後も高速動作と低消費電力性能を活かしモバイル・パーソナル機器への適用を進めていきます。また、構造的に素子が完全分離しているため放射線耐性に優れており、航空宇宙用機器への適用を進めていきます。

SOS技術

SOS(Silicon on Sapphire)技術は、絶縁基板上の薄膜シリコン層に素子を形成するため、高周波特性に優れ、かつ低消費電力が達成できます。米ペレグリン・セミコンダクター社と提携し、SOS技術を適用したRFスイッチやGPSレシーバーなどの開発を行っています。優れた高周波特性を活かし、無線用LSIやアナログ・ロジック混載LSIへの適用を進めていきます。

3次元実装技術

3次元実装技術は、シリコン基板に形成された貫通電極を介して僅か50μmの厚みのチップを積層する技術です。複数のチップを積層して1パッケージ化が可能になり、将来のメモリ大容量要求に対していち早く対応ができる様になります。また、チップ間の配線距離も短いため、高速動作を必要とするデバイスにも適しています。高速・大容量でありながら実装体積を極めて小さくできる先進的な高密度実装技術として、モバイル・パーソナル機器の大容量メモリやロジックへの適用を進めていきます。