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半導体事業グループ ホーム > 事業紹介 > 沿革
沿革
デバイス事業および八王子地区の沿革
●：施設 ■：技術・製品関連
| 1961 | ● 1号館完成 |
| ■ トランジスタ生産開始 | |
| 1962 | ● 2・3号館完成 |
| ■ ミリ波管・電子計算器生産開始 | |
| 1965 | ■ リードリレー生産開始、IC開発着手 |
| 1966 | ■ リードスイッチ生産開始 |
| 1967 | ■ IC生産開始 |
| 1968 | ■ CMOS開発着手 |
| 1969 | ● 4号館完成 |
| ■ プリント基板生産開始 | |
| 1975 | ● （秩父工場操業開始） |
| ■ 4Kb DRAM生産開始 | |
| 1977 | ● V1棟完成 |
| ■ マイクロプロセッサ生産開始 | |
| 1979 | ■ マイクロコンピュータ生産開始 |
| 1980 | ● 管理・技術棟完成（5号館） |
| 1981 | ● （宮崎沖電気操業開始） |
| ■ ゲートアレイ、64Kb DRAM（3μm）生産開始 | |
| 1982 | ■ 米NS社へ技術供与 |
| 1983 | ● V2棟完成 |
| ● （宮崎沖電気M2棟完成） | |
| 1984 | ● （沖マイクロデザイン宮崎設立） |
| ■ 256Kb DRAM（2μm）生産開始 | |
| 1985 | ● V3棟完成 |
| 1987 | ■ 1Mb DRAM（1.2μm）生産開始 |
| 1988 | ● （宮城沖電気操業開始） |
| 1989 | ■ 4Mb DRAM（0.8μm）生産開始 |
| 1990 | ● （オレゴン工場操業開始） |
| ● （沖LSIテクノロジ関西設立） | |
| 1991 | ● （宮崎沖電気M3棟完成） |
| 1992 | ● （タイ工場操業開始） |
| ● U1棟完成 | |
| ■ 16Mb DRAM（0.5μm）生産開始 | |
| 1994 | ■ 256Mb DRAM（0.25μm）開発成功 |
| 1995 | ● （宮城沖電気S2棟完成） |
| ■ SSDカード生産開始 | |
| 1996 | ● 新食堂棟完成（6号館） |
| 1997 | ● 新管理・技術棟完成（7号館） |
| ■ 64Mb DRAM（0.3μm）生産開始 | |
| ■ 1Gb DRAM（0.18μm）開発成功 | |
| 1998 | ■ SPAベース事業展開開始 |
| ■ 表面実装光モジュール商品化 | |
| ■ USBコントロールLSI商品化 | |
| 2000 | ■ ブルートゥースシステムLSI商品化 |
| ■ μPLAT開発 | |
| 2002 | ■ 完全空乏型SOI技術によるLSI生産開始 |
| 2003 | ■ 世界初、SOI標準電波時計LSI開発成功 |
| ■ SOS商品販売開始 | |
| 2004 | ● OHK深セン／OSSH北京／OSTS設立 |
| 2005 | ● 半導体事業グループ創設 |
| 2007 | ● シリコンマイクロデバイスカンパニー創設 |
